客戶咨詢熱線：
15270896115
日本arios小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301 離子濺射儀
日本arios小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301 這是一種使用濺射（通?？s寫為濺射）的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量，因此可以產(chǎn)生具有高附著力的強膜。
更新日期：2024-03-24 訪問量：1582
日本shinkuu超小型噴金儀MSP-mini 該設備是帶有磁控管靶材的金屬鍍膜設備。用光學顯微鏡觀察透明材料的表面（Ag 靶材）或用電子顯微鏡（Au/Ag 靶材）將導電膜應用于少量樣品時使
更新日期：2024-03-24 訪問量：2055
日本shinkuu 小型噴金儀MSP-1S 該設備專用于貴金屬薄膜涂層，用于SEM觀察。 該裝置進行貴金屬涂層，以防止SEM樣品充電并提高二次電子生成的效率。
更新日期：2024-03-24 訪問量：2899
日本attmol嵌入式微型泵OEM模塊TS-MP系列 數(shù)顯計量泵
日本attmol嵌入式微型泵OEM模塊TS-MP系列 TS-MP系列“微型泵”O(jiān)EM模塊（用于設備嵌入）是一種緊湊的高精度柱塞泵，可以處理“計量”和“連續(xù)液體進料”。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1491
日本attmol高壓惰性精密泵MIFP系列 數(shù)顯計量泵
日本attmol高壓惰性精密泵MIFP系列 MIFP系列“高壓惰性精密泵”是一種精密泵，全非金屬（金屬惰性）規(guī)格下實現(xiàn)了未有的“高壓”和“高流量”性能。 還提供“小流量”規(guī)格。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1923
日本tsukasa便攜式管泵 PP-DP1-200，100V 數(shù)顯計量泵
日本tsukasa便攜式管泵 PP-DP1-200，100V 具有增強控制功能和滴水控制功能的小型機身
更新日期：2024-03-23 訪問量：1618
日本iwaki磁懸浮泵MJ-100 這是一種結(jié)合了磁浮軸承結(jié)構(gòu)和磁力驅(qū)動系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的離心泵。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1855
日本shinkuu 四英寸貴金屬涂布機MSP-20MT 離子濺射儀
日本shinkuu 四英寸貴金屬涂布機MSP-20MT 4英寸貴金屬涂布機，具有全自動功能??！ 它可以處理大樣品和大量樣品。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1795
日本shinkuu貴金屬涂布機MSP-20UM 以支持各種應用。 此外，可以根據(jù)條件設置自動執(zhí)行一系列涂層操作。 旁路排氣系統(tǒng)可最大限度地減少雜質(zhì)和聯(lián)鎖以防止錯誤操作，并且傾斜旋轉(zhuǎn)機構(gòu)可作為單獨的選項提供，以提高環(huán)繞性能。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1526
日本shinkuu磁控濺射設備介紹 磁控濺射裝置應用了在靶材背面使用強磁鐵促進陰極表面層電離的原理，然后用磁場用離子轟擊靶材以釋放金屬分子。 在電子顯微鏡應用中，主要使用金和鉑等貴金屬。 我們還有一系列型號，可以濺射其他金屬靶材。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1925
日本shinkuu 小型金屬鍍膜裝置MSP-1S 離子濺射儀
日本shinkuu 小型金屬鍍膜裝置MSP-1S 該設備專用于貴金屬薄膜涂層，用于SEM觀察。 該裝置進行貴金屬涂層，以防止SEM樣品充電并提高二次電子生成的效率。
更新日期：2024-03-23 訪問量：1449
日本shinkuu一鍵自動涂布設備MSP-mini 離子濺射儀
日本shinkuu一鍵自動涂布設備MSP-mini 該設備是帶有磁控管靶材的金屬鍍膜設備。用光學顯微鏡觀察透明材料的表面（Ag 靶材）或用電子顯微鏡（Au/Ag 靶材）將導電膜應用于少量樣品時使
更新日期：2024-03-23 訪問量：1514
日本shinkuu鋨涂層設備HPC-1SW 該裝置是用于電子顯微鏡觀察的鋨涂層裝置。使用空心陰極樣品架，并通過低壓放電進行涂層，因此幾乎沒有樣品損壞。
更新日期：2025-05-02 訪問量：1634
HPC-20日本shinkuu SEM 和 TEM 的鋨涂層設備
日本shinkuu SEM 和 TEM 的鋨涂層設備HPC-20 該裝置是用于電子顯微鏡觀察的鋨涂層裝置。配備觸摸屏和序列器控制，任何人都可以輕松、全自動地處理樣品的導電膜形成。
更新日期：2025-05-02 訪問量：1961
日本shinkuu φ300mm Pt 鍍膜機MSP-12in
日本shinkuu φ300mm Pt 鍍膜機MSP-12in 配備兼容 12 英寸晶圓的大面積樣品臺。使用磁控管方法，當涂層電壓為 500V 或更低時，可減少離子損傷。
更新日期：2025-05-02 訪問量：1711
